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中电重庆智慧b计算的ΔGdiss-1或ΔGB值与三种氮化钼表面电沉积容量之间的关系。远达有限d,eMo5N6,MoN和Mo2N的Mo3dXPS和MoL3,L2edgeNEXAFS光谱。
关于公司告d三种硫电极在不同电压下的活化能。成立充b在不同电压下S/C电极的活化能。环保通过可溶多硫化物进行金属硫化物电沉积是实际硫电极的速控步。
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a-cEx-situNEXAFS用于S/Mo5N6、补充S/MoN和S/Mo2N的MoL3-edge。
中电重庆智慧a三个表面上Na2S2转化为NaS*的吉布斯自由能图。p型PbTe的性能优异，远达有限ZTavg值在400−923K区间可达1.7，而n型PbTe的ZTavg约为1。
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